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Rapid Thermal Annealing in In0.2Ga0.8As/GaAs Multiple Quantum Wells with/without GaAs and Low Temeprature-Grown GaAs Cap Layer Using Impurity-Free Vac

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Author(s)
이용탁
Type
Conference Paper
Issued Date
2001-02-01
URI
https://scholar.gist.ac.kr/handle/local/29958
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