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GIST Repository College of Information and Computing Department of Electrical Engineering and Computer Science 2. Conference Papers

SiCl4와 Cl2 가스에 의한 InP, InGaAs 및 InAlAs의 반응성 이온 식각: 가스유량, rf전력, 공정압력, Ar 첨가의 영향

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Author(s)
이용탁
Type
Conference Paper
Issued Date
2001-06-01
URI
https://scholar.gist.ac.kr/handle/local/29860
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